低介電（Low-k）材料是最新半導體領域應用非常廣范的一種材料，該材料的特征具有較小的介電常數（相對于 SiO2 材料而言），以及較好的力學性能，例如楊氏模量和硬度。該材料的制備通常都是鍍在晶圓片上一層或多層薄膜，膜層的厚度基本都在幾百納米到微米尺度，中海遠創的 Nano Indenter G200 擁有連續剛度測量技術，可以輕松通過納米壓痕測試獲得沒有基底效應的低介電薄膜材料的楊氏模量和硬度，此處舉例的兩個薄膜的膜厚分別為 1007nm（low k 1）和 445nm (low k 2)。 
      斷裂韌性反映了結構阻止裂紋失穩擴展能力，是結構抵抗裂紋脆性擴展的參數。Nano Indenter G200 上的接觸剛度原位掃描成像技術還可以被用來測試低介電薄膜材料的斷裂韌性（KIC）, 對于薄膜材料的斷裂韌性測試，這種原位成像技術是最佳的方法。